4GB DDR3 1600 So-DIMM Cl11 2rx8 (ts512msk64v6n)

Kenmerken

Type gebufferd geheugen

Unregistered (unbuffered)

CAS-latentie

11

Intern geheugen

4 GB

Geheugenlayout (modules x formaat)

2 x 8 GB

Intern geheugentype

DDR3

Kloksnelheid geheugen

1600 MHz

Component voor

Notebook

Geheugen form factor

204-pin SO-DIMM

ECC

Nee

Geheugen rangschikking

2

Geheugen voltage

1.5 V

Module configuration

256M x 8

Eisen aan de omgeving

Bedrijfstemperatuur (T-T)

0 - 85 °C